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FDSOI (全耗尽绝缘体上硅)工艺发展及应用论坛(已结束)
时间:2026-09-09
地点:14号馆二楼14A
语言:中文

主办单位:

锐立平芯微电子(广州)有限责任公司  

IICIE国际集成电路创新博览会(IC创新博览会)

当前,FDSOI技术凭借低功耗、高性能、高可靠及抗辐照等独特优势,正成为汽车电子、边缘AI、移动通信及太空算力等新兴领域的关键技术路径。为加速国内FDSOI产业化进程,推动产业链协同创新,锐立平芯微电子(广州)有限责任公司特举办本次论坛。

 

论坛汇聚产业界与学术界核心力量,邀请大湾区研究院、华大九天、概伦电子、中兴微电子、芯源微电子、复旦微、普迪飞半导体等机构专家,围绕FDSOI工艺制造、EDA工具链、PDK开发及芯片设计等关键环节展开深入研讨,共同探索中国FDSOI特色工艺的规模量产与生态建设之道。


诚邀产业同仁共襄盛举,携手开辟FDSOI先进制造新路径。

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大会议程

FDSOI (全耗尽绝缘体上硅)工艺发展及应用论坛(已结束)
时间演讲题目演讲嘉宾
14:20-14:40论坛致辞叶甜春 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 董事长兼总裁
14:40-15:00嘉宾致辞待定
15:00-15:20FDSOI工艺研发进展连宗祥 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 高级副总裁
15:20-15:40FDSOI前沿方向Sorin Cristoloveanu 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
15:40-16:00茶歇
16:00-16:20FDSOI的 EDA 发展刘晓明 北京华大九天科技股份有限公司 总监
16:20-16:40FDSOI的 PDK 开发刘文超 上海概伦电子股份有限公司 副总经理
16:40-17:00FDSOI的射频应用刘博 深圳市中兴微电子技术有限公司 部长
17:00-17:20FDSOI的IP开发及应用况刚权 芯原微电子(上海)股份有限公司 总监
17:20-17:40FDSOI的抗辐照应用张伟国 上海复旦微电子集团股份有限公司 总监
*具体议程以现场为准
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