宽禁带半导体技术与产业协同会议 ——SiC/GaN嵌埋PCB装备及材料供应链专题（已结束）
- 时间：2026-09-10
- 地点：16号馆馆内会议室②
- 语言：中文
主办方：
IICIE国际集成电路创新博览会（IC创新博览会）
协办方：
深圳职业技术大学集成电路学院
广东省科学院半导体研究所
广东工业大学国家重点实验室
IEEE EPS 广州分会
在全球能源转型、产业电气化和AI基础设施建设加速推进的背景下，新能源汽车、储能、AI服务器电源及高端装备对效率、功率密度和可靠性提出更高要求。SiC功率器件的规模化应用持续推进，先进封装正成为释放器件性能、提升系统效率与可靠性的关键环节。
SiC/GaN芯片嵌埋PCB有望通过缩短互连路径、降低寄生参数并改善散热，进一步提升功率模组的集成度和功率密度；其工程化仍需解决材料与装备适配、嵌埋工艺协同、可靠性验证和供应链协同等问题。
本论坛立足全球技术趋势与我国高端功率半导体产业发展需求，围绕材料、装备、嵌埋工艺、测试验证和应用协同展开，汇聚产业链企业、高校和科研机构代表，分享技术进展与工程实践，探讨SiC先进封装由单点突破走向全链条协同和规模化应用的实现路径。