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宽禁带半导体技术与产业协同会议 ——SiC/GaN嵌埋PCB装备及材料供应链专题
时间:2026-09-10
地点:16号馆馆内会议室
语言:中文

主办单位:

IICIE国际集成电路创新博览会(IC创新博览会)


协办单位:

深圳职业技术大学集成电路学院

广东省科学院半导体研究所

省部共建精密电子制造技术与装备国家重点实验室(广东工业大学)

IEEE电子封装学会广州分会

在全球能源转型、产业电气化和AI基础设施建设加速推进的背景下,新能源汽车、储能、AI服务器电源及高端装备对效率、功率密度和可靠性提出更高要求。SiC功率器件的规模化应用持续推进,先进封装正成为释放器件性能、提升系统效率与可靠性的关键环节。


SiC/GaN芯片嵌埋PCB有望通过缩短互连路径、降低寄生参数并改善散热,进一步提升功率模组的集成度和功率密度;其工程化仍需解决材料与装备适配、嵌埋工艺协同、可靠性验证和供应链协同等问题。

 

本论坛立足全球技术趋势与我国高端功率半导体产业发展需求,围绕材料、装备、嵌埋工艺、测试验证和应用协同展开,汇聚产业链企业、高校和科研机构代表,分享技术进展与工程实践,探讨SiC先进封装由单点突破走向全链条协同和规模化应用的实现路径。

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