本次展会汇聚了半导体全产业链的核心代表力量，涵盖芯片设计、制造、封测、材料、设备等多个关键领域。

其中，化合物半导体作为重要展区之一，天科合达、烁科晶体、瑞能半导体、深圳平湖实验室、纳微半导体、等多家厂商展出精彩产品，吸引众多观众驻足。

#天科合达 作为碳化硅材料领域的领军企业，在本次展会上带来了其主推碳化硅衬底片和外延片，包括导电型、半绝缘型以及6、8英寸等丰富产品。

其中，天科合达展示的8英寸导电型衬底代表了其在大尺寸衬底技术上的突破。公司通过自主研发的长晶技术，实现8英寸晶体的稳定生长，并解决了多型缺陷、平面六方空洞等难题，提升了衬底质量。相较于6英寸产品，8英寸导电型衬底在规模化生产时可有效降低单位成本，提高生产效率。

此外，据了解，天科合达目前已成功实现6英寸650V、1200V及1700V等多电压等级碳化硅外延片的规模化供应，并已获得多家国内外头部企业8英寸外延中小批量订单。

#烁科晶体 作为第三代半导体材料领域的前沿企业，本次主要展示了其6/8/12寸碳化硅单晶衬底。

其中包括去年12月全球首发的12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底与12 英寸N型碳化硅单晶衬底。12 英寸高纯半绝缘衬底凭借其出色的光学性能优势，成为下一代 “AR+AI” 智能眼镜的核心材料，有望推动 AR 眼镜在轻量化、高清显示以及成本控制等方面实现质的飞跃。

此外，烁科晶体还展示了其量产的8 英寸碳化硅衬底，据介绍，其导电型衬底已通过了全球主要功率半导体厂商的验证，并完成了批量销售。

#纳微半导体 主要专注于氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件研发、生产及应用。

本次展会纳微半导体主要展示了最新采用纳微氮化镓和碳化硅技术所打造的最新demo，覆盖AI数据中心、太阳能储能以及移动快充等热点场景。其中包括OCP ORV3 12kW 97.8% PSU、OCP ORV3 8.5kW 97.5% PSU、Bi-Di 500W Micro Inverter等。

据介绍，OCP ORV3 12kW 97.8% PSU采用OCP ORV3架构，功率为12kW，输入电压 50V 时最大电流240A。一次侧采用三相交错式连续导通模式（CCM）图腾柱（TPPFC）电路 ，二次侧采用三相交错式LLC电路，具有高功率密度和高效率，能够在相对紧凑的空间内实现12kW的功率输出，并且效率达到97.8% ，可以减少能量损耗，提高能源利用效率，适用于对电源功率和效率要求较高的数据中心、服务器等场景。

OCP ORV3 8.5kW 97.5%PSU也采用OCP ORV3架构，其功率 8.5kW，输入电流 576A/172A 。一次侧采用三相交错式连续导通模式（CCM）图腾柱（TPPFC）电路 ，二次侧采用三相delta到delta LLC电路。具备高功率密度和高效率的特性，尺寸为560mm x 73.5mmx42mm ，在半载（230Vac）情况下效率达到97.5% 。适用于对功率需求稍低，但同样追求高效、紧凑电源解决方案的设备，如一些中大型工业控制设备、通信基站的供电系统等。

#深圳平湖实验室 本次展会主要展示了其不久前宣布的SiC激光剥离技术新突破。

据悉，深圳平湖实验室于今年6月实现SiC激光剥离的单片总损耗≤75μm，单片成本降低约26%，达到国际先进水平，已完成三批次的小批量验证，良率100%。

此外，深圳平湖实验室还展示了100μm级别的碳化硅外延片，主要应用于电网等高压、特高压场景下。

深圳平湖实验室构建了完善的半导体研发与中试体系，设有材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试等多个专业平台。

#科友半导体主要展示了6/8英寸碳化硅单晶衬底、6/8英寸碳化硅感应长晶炉、6/8英寸碳化硅电阻长晶炉等。

稍早之前，科友半导体宣布依托自主研发的12英寸碳化硅长晶炉及热场技术，成功制备出12英寸碳化硅晶锭。大尺寸的衬底面积能显著减少长晶、加工、抛光等环节的单位成本。

苏州派恩斯半导体科技有限公司是一家于2025年新成立的企业，由苏州博宏源设备股份有限公司控股，并与韩国PNS INTERNATIONAL CO.LTD合资成立。

#派恩斯半导体 主要专注于半导体芯片制程中的减薄、研磨、抛光、贴蜡等核心环节，技术覆盖键合、外延、MEMS、精密陶瓷、纳米抛光等前沿领域。

本次主要展示了其半导体单面研磨机设备，可对半导体晶圆（如硅片、碳化硅片、氮化镓片等）的单一表面进行研磨处理，是半导体制造流程中用于 “晶圆表面精密加工” 的核心设备。

#宇环精研 隶属宇环数控机床股份有限公司，在精密高效磨削抛光领域形成了完整的研发体系和工艺特色。

本次展会主要展示了针对半导体行业的精密加工设备，如YHM7425立式单面磨床 、YHMGK1720精密数控多功能外圆磨床、YH2MG8436立式高精度双面研磨抛光机、YH2MG81系列-单面研磨抛光机等。晶体材质涵盖蓝宝石、单晶硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟、碲锌镉、氮化镓、氧化镓、锑化镓、锑化铟等，涉及工序包括平面磨削、滚圆加工、单面/双面研磨抛光、单工位减薄等。

具体参展产品包括适用于碳化硅晶体平面加工的YHM7425立式单面磨床，该设备Z轴进给采用“伺服电机+丝杆导轨+直线光栅”驱动闭环控制，实现高精度连续微进给；主轴采用电主轴结构，更高的磨削力矩，运行平稳，振动小，噪音低。

以及YHMGK1720精密数控多功能外圆磨床，该设备可对碳化硅、蓝宝石等硬脆性晶锭进行外圆磨削、晶向检测、参考边（OF）面磨削和V-NOTCH槽磨削；YH2MG8436立式高精度双面研磨抛光机，该设备主要用于碳化硅、蓝宝石、氮化镓、氮化硅、氧化铝、氮化铝陶瓷等材料制作的薄片零件的高精密双面研磨抛光。

#瑞能半导体 本次主要展示了TSPAK封装、TOLL封装超结MOSFET、2000V整流管。

其中，瑞能半导体的TSPAK系列碳化硅产品，采用顶部散热封装，产品包括瑞能领先工艺的SiC MOSFET与SiC肖特基二极管。采用顶部散热封装，不仅热性能可媲美广泛使用的、热性能稳定的TO-247等传统直插型封装，还具有基于SMD的PCB组装方式，同时避免依次安装绝缘衬套紧固螺丝，实现高效制造流程的额外优势。同时，由于无需设置热过孔，可最小化电流环路面积，减小EMI辐射。

TOLL封装超结MOSFET是一款新推出的产品，新一代芯片技术平台，可大幅提升FOM优值，赋能高效系统，并采用创新的TOLL封装，较低的封装电阻、寄生电感、优秀的散热性能，提升系统热管理性能。并具有行业领先的功率密度、覆盖高低压单元等的特点。

#誉鸿锦 本次展会主要展出了4”/6”/8”英寸硅基/碳化硅基/蓝宝石基外延片及晶圆。

誉鸿锦成立于2021年，在半导体领域尤其是氮化镓（GaN）材料及相关器件研发生产方面发展迅速，誉鸿锦以GaN芯片研发与制造为核心，集成半导体产业链上游设备材料、下游终端应用，打造IDM产业模式。

据介绍，誉鸿锦可提供多种规格外延片，包括650V/900V/1200V各种击穿电压规格，以及5G/6G射频外延片、耗尽型、pGaN增强型及各种定制结构外延片。外延片厚度2-6微米，不均匀性<±3%；外延片翘曲<30微米；外延片2DEG电子浓度>8E12cm^-2；外延片电子迁移率>1800cm²/V·s。

#众途复材 本次展会主要带来了其核心产品碳纤维隔热材，具有优异的隔热性能、超高的纯度、出色的抗氧化性能等多重优势。此外，产品不单在粉末冶金热处理、高性能陶瓷烧结、光通讯、蓝宝石晶体等行业里得到广泛的应用，在芯片行业里也得到用户青睐。

众途复材展会现场搭建了一个船型模型，主要是针对第三代半导体的长晶和外延两部分，模型中的碳纤维桶是量身为碳化硅定制的，既能实现低能损耗，又能达到较长寿命，并且能保证碳化硅晶体质量稳定。

本届SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展的化合物半导体展区精彩纷呈，各家厂商的展品不仅展现了国内化合物半导体产业从 “单点突破” 向 “协同共进” 的转变，更印证了产业在新能源汽车、5G/6G通信、AI数据中心、电网等核心场景的深度渗透。

此外，展会期间还举办了《第三代半导体设备与核心零部件产业链合作发展论坛》，清华大学集成电路学院、盛美上海、星奇半导体、松诺盟科技从不同角度展开讨论，如电镀设备技术突破、液体汽化系统原理、压力传感器创新应用等方面。北方华创、华工激光、杭州智谷精工、上海优园科技等企业也分别就装备技术创新、激光技术应用、碳化硅衬底材料加工工艺、设备发展趋势等话题展开交流。

随着技术持续迭代、成本逐步下探，相信会在全球化合物半导体竞争中构建更具韧性的 “中国生态”，为半导体产业高质量发展注入持久动力。