7月以来，先进封装赛道动作频频：台积电嘉义科学园区二期正式动土，将新建3座封装厂，聚焦HBM高带宽存储封装与AI服务器光子互连封装两大核心赛道；长电科技宣布投资78亿元在上海临港建设高端先进封测工厂，注册资本达40亿元；日月光正处在公司史上规模最大的建厂扩张周期。执行长吴田玉透露，2026年日月光全球六座新建封测厂区同步动工，扩张力度为历年之最........这一连串动作的背后，是一个正在被全行业重新认知的事实：先进封装已从后端工艺，转变为AI人工智能周期的核心产能瓶颈。
在上一个半导体周期中，瓶颈通常是晶圆产能、领先的前端节点准入或光刻技术。而在AI驱动的新周期中，瓶颈已转移到将逻辑、HBM、IC基板、中介层、桥接层、RDL、散热解决方案和测试集成到一个高良率系统中的能力。封装，正在成为计算供应的基本单元。
CoWoS产能排期已到2028年
据瑞穗亚洲最新预测，台积电CoWoS月产能将在2026年底达到14万片，2027年进一步攀升至19-20万片，较此前预测大幅上调。但即便如此，供需缺口依然显著：目前行业整体供需缺口约20%，订单排期普遍延至2027年，部分定制化项目甚至顺延至2028年上半年。
更具信号意义的是，6月22日台积电正式通知全球客户，停止接受2027年第一季度之后的CoWoS-L新产能预订。这意味着，英伟达、博通、AMD等头部客户早已锁定未来一年多的产能，新进入者想要拿到CoWoS产能，窗口期正在快速关闭。
技术路线也在快速迭代，台积电目前已量产全球最大的5.5倍光罩尺寸CoWoS，良率超过98%，支持20个HBM的14倍光罩尺寸CoWoS将于2028年量产，可整合24个HBM的更大尺寸版本，则计划于2029年就绪。每一次光罩尺寸的跃升，都意味着单颗芯片能够集成更多HBM堆叠，算力密度再上一个台阶。
先进封装三条技术路线并行演进
当前，先进封装的技术路线图，正沿着三个方向同步演进，它们并非独立趋势，而是对同一系统问题的不同应对方案：AI硬件需要更高的带宽、更近的内存距离、更高的芯片灵活性、更低的延迟、更低的每比特能耗、更优的供电能力，以及更易管理的散热。
2.5D/3D堆叠：AI加速器的核心底座
2.5D/3D仍然是AI加速器时代的核心技术。台积电CoWoS是当前的参考平台，解决了在高带宽互连基板上放置大型逻辑芯片和多个HBM堆叠的迫切需求。硅中介层可提供高密度布线、均匀的HBM访问和高性能，但同时也带来了成本、光罩、面积和容量方面的限制。
因此，技术争论的焦点已从"是否需要2.5D"转向"哪种2.5D架构扩展性最佳"。台积电CoWoS仍然占据主导地位，日月光的FOCoS和安靠的2.5D/HDFO产品线正在扩展，而英特尔的EMIB/EMIB-T正在成为最可靠的基于桥接技术的替代方案。关键的技术转变在于"选择性硅"：在带宽承载需求的地方使用高密度硅，而在有机布线、桥接布线或扇出布线能够满足需求的地方，则避免构建完整的大面积硅中介层。
玻璃基板：下一代中介层的角逐
硅中介层的尺寸限制，催生了玻璃基板这一新赛道。2026年6月，台积电正式发布CoWoS玻璃基板开发计划，联合揖斐电（Ibiden）与群创光电进行产业化验证——前者负责上下两层积层ABF薄膜制造，后者提供大尺寸超薄低膨胀玻璃基材与面板级加工工艺配套。
三星也不甘落后，三星电子与三星显示正联合开发下一代玻璃中介层，有望降低高性能芯片的封装成本。Trumpf等设备厂商更是直言，玻璃基板将成为芯片封装的下一个战场。相比硅中介层，玻璃基板在大尺寸、低膨胀、成本控制上具有显著优势，尤其适配端侧AI对成本、散热、电性能的严苛要求。随着CoPoS等技术的成熟，玻璃基板有望成为先进封装从"高端稀缺"走向"规模普及"的关键变量。
CPO共封装光学：突破铜互连的物理极限
当数据速率越来越高，铜互连的损耗与延迟成为新瓶颈，共封装光学器件（CPO）应运而生——将光引擎与交换芯片封装在一起，缩短电信号传输距离，大幅降低功耗与延迟。这也是台积电嘉义二期重点布局的方向之一。AI服务器光子互连封装，正是支撑下一代高算力集群的关键技术。从CoWoS到CoPoS，从电互连到光互连，封装正在从"芯片的容器"转变为"系统的架构"。
先进封装高端产能稀缺，设备与材料同步受益
市场正进入高资本支出阶段，AI/HPC、HBM、定制ASIC、AI服务器、CPO以及高端基板的全面短缺。先进封装领域的总资本支出已接近170亿美元，IDM、晶圆代工厂和OSAT纷纷加码。台湾、日本和韩国在关键领域占据主导地位，美国和中国则大力投资以建立国内能力，印度也在从传统封装向先进封装转型。
同时，产能扩张直接拉动了半导体制造设备的需求升级。先进封装对设备精度、复杂度的要求远超传统封装——TCB热压键合设备、铜-铜混合键合设备、HBM专用测试设备、大尺寸基板处理设备、扇出型RDL光刻设备等，都成为新的增长引擎。从前道的晶圆制造设备（刻蚀、薄膜沉积、CMP），到后道的封装测试设备，整条设备链都在受益于先进封装的产能扩张。关键材料端同样紧俏，ABF载板、光刻胶、CMP抛光液等上游原材料，与封装产能形成了连锁式的供需传导。
先进封装的战略地位提升，也正在重塑半导体产业展会的价值坐标。IICIE国际集成电路创新博览会作为聚焦半导体产业链的专业平台，将重点打造封先进封装测试板块，现场将集中展示 2.5D/3D 封装、CoWoS/CoPoS、HBM 封装、混合键合、CPO 共封装光学等前沿技术与最新产品，直观呈现当前先进封装技术迭代方向、市场应用需求及落地成果，助力行业从业者精准把握赛道风口。
▶晶圆制造及封装测试技术与服务：上海华力、晶合集成、比亚迪半导体、通富微电、时代民芯、华进半导体、佰维存储、芯植微、爱特微等代表企业展示晶圆制造及封装测试技术与服务；
▶半导体设备：北方华创、中微半导体、盛美上海、拓荆科技、沈阳和研、华海清科、微崇半导体、华煜半导体、隆友德、精测电子、中电科、华卓精科、中科飞测、迈为技术、东方晶源、维嘉科技、 三丰精密、容道社、冠礼科技等代表企业呈现半导体设备领域核心成果；
▶半导体材料：沪硅产业、安集科技、中船特气、上海新阳、清溢微、西陇科学、方大炭炭等企业，将带来硅片、靶材、特种气体等关键材料，支撑产业链自主可控升级；
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产品合集抢先看，解锁前沿技术
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*以上仅为部分参展企业，排名不分先后
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