9月9-11日，IICIE国际集成电路创新博览会在深圳国际会展中心盛大举办，今年展会与CIOE、elexcon三展联动，三展3天共吸引325,810名专业观众到场。同时亦有不少行业内知名媒体到场对展会进行报道并撰写相关文章。以下文章来源于集邦化合物半导体：

2026年9月9日至11日，IICIE国际集成电路创新博览会（IC创新博览会）在深圳国际会展中心（宝安）举行。本届展会以"跨界融合·全链协同，共筑特色芯生态"为主题，与CIOE中国国际光电博览会、elexcon深圳国际电子暨嵌入式展三展联动，展出总规模达32万平方米，参展企业超5000家。展会设置芯片及芯片设计、晶圆制造、封装测试、设备、材料及核心零部件等展区，覆盖集成电路全产业链条。

图片来源：集邦化合物半导体拍摄

芯片设计是本届展会企业数量最密集的展区之一，展品方向覆盖AI算力、车规级芯片、安全芯片与端侧SoC。紫光国微带来安全芯片与车规电子方案，北京君正以端侧AI处理器覆盖AI穿戴与智能视觉，比亚迪半导体以车规功率与智驾芯片切入，设计环节围绕AI与汽车两大应用展开的布局清晰可见。

#紫光国微 携旗下紫光同芯、国芯晶源亮相本届IICIE，并在两大核心论坛发表主题演讲，分享商业航天、汽车电子领域的技术探索与创新实践。

图片来源：IICIE

紫光同芯的展台分成安全芯片与汽车电子两条线。安全芯片一侧，eSIM产品全球手机场景出货超千万颗，中国首款国产eSIM芯片手机由此实现商用；安全SE与安全MCU面向消费及工业物联网，防伪鉴权芯片已导入全球TOP级OEM，累计服务数千万台终端。汽车电子一侧，汽车安全芯片出货超千万颗、国产市场份额领先；汽车控制芯片已在多家车企量产应用，高端汽车动力域MCU技术国内领先，功率器件同步展出。

国芯晶源的三个产品系列各有落点。超微型系列依托全自动IN-LINE技术，以4.5代全自动产线实现规模化量产，面向智能手机、智能穿戴、无人机、医疗监测等消费电子终端；超高频系列突破Q-MEMS光刻工艺壁垒，实现超高频基频石英晶振国产化量产，指向数据中心、AI推理、服务器、光模块、卫星通信与商业航天；超稳定系列通过AEC-Q200/Q100车规级双重认证，覆盖汽车电子核心控制与通信领域。

逛展下来最直观的感受是，eSIM、车规安全芯片都站在千万颗级出货数据上说话，国产车规芯片正从单品突破走向规模商用。

#北京君正 携全系列计算芯片亮相，覆盖AI穿戴、AIoT与智能视觉等应用方向。

CW080为AI眼镜、智能穿戴与微型视觉终端而造，QFN90超小封装内集成1Tops@INT8 NPU，支持4K@30fps H.265编码、12MP拍照与端侧EIS防抖，内置DDR，休眠功耗约1mW、运行功耗较前代降低30%，是兼顾性能与续航的穿戴AI视觉方案。X3000面向端侧智能商业与工业应用，XBurst2、NPU与Victory0（RISC-V）构成其计算核心，端侧AI与实时控制能力兼备；X2600、X1600同期展出，分别覆盖商业工业多核异构与AIoT嵌入式市场。T33则是一款面向智能视觉应用的SoC处理器，主频1.0GHz，支持Magik2.0算法平台与2880×1620分辨率，广泛用于IPC摄像头。

图片来源：北京君正

从AI眼镜SoC到IPC主控，全系产品按应用场景梯度排布，端侧AI芯片的落地路径比单看参数更有信息量。

#比亚迪半导体 以车规级半导体为核心亮相，覆盖IGBT、SiC功率器件、BMS模拟前端及智驾芯片等产品线。

图片来源：比亚迪半导体

展台上，超级沟槽栅车规级IGBT芯片IGBT8.0采用全新一代自主研发的超精细沟槽技术，超深亚微米沟槽栅与超高电流密度带来行业最优关断损耗，超大单芯设计使单芯片电流规格最高达700A，驱动功率提升30%。305A SiC模块为1200V车规级功率模块，内含自研SiC MOSFET芯片，双面银烧结与叠层激光焊结构兼顾车规级高可靠性与极低寄生电感；一旁的SiC晶圆是汽车电机驱动领域首次量产应用的最高电压等级产品。车规级4nm智驾芯片搭载16核CPU，单位算力功耗较同级产品低20%，算力利用率提升100%，支持L3/L4自动驾驶。

展品口径集中在量产与装车上，IGBT8.0、SiC晶圆、4nm智驾芯片都以"上车"为落点，车规芯片的比拼已进入量产验证阶段。

设备展区也是展会上人头攒动的区域，覆盖薄膜沉积、CMP抛光、离子注入、键合与量检测等工序装备。华海清科带来CMP与离子注入设备，拓荆科技展示薄膜沉积与混合键合装备，精测电子以量检测设备覆盖从硅片到芯片的完整环节。

#华海清科 携全系列先进半导体装备及工艺集成解决方案参展，化学机械抛光机、减薄抛光一体机、单片清洗机等全套工艺装备悉数亮相，其中两台面向先进制程的装备尤其值得细看。

Universal-300FS化学机械抛光机采用单头搭配单盘的抛光系统，8个独立气压分区抛光头集成多种实时检测技术，配合抛光垫智能修整、竖直擦洗与提拉干燥技术达成超洁净清洗效果，应用覆盖逻辑芯片、存储芯片、先进封装、大硅片、功率器件与图像传感器。iHQ-900E中束流离子注入机依托先进三磁铁架构，实现卓越的离子束角度精度与束形控制，保障晶圆注入剂量高度精准，适配FinFET逻辑器件以及DRAM、3D NAND等存储芯片量产制程；优异的金属污染控制满足CMOS图像传感器严苛要求，高温注入工艺模块则支撑SiC功率器件掺杂工艺。

图片来源：华海清科

从CMP到离子注入的品类延伸，可以看出国产装备企业正从单点设备走向平台化供应，先进制程参数也已成为展台宣传的核心语言。

#精测电子 以半导体全领域量检测解决方案亮相，覆盖从硅片、晶圆到芯片的完整产业链量检测。

先进封装产线上，Dolphin500晶圆缺陷检测设备搭载明暗场与宽波段PL照明系统，传统算法与AI算法协同支撑同质、异构集成高效检出，适配先进封装量产检测需求。转至存储测试，JH8800存储芯片FT测试设备采用自主研发的主控IP协议板与DSA转接板，支持eMMC/UFS/NAND 512 DUT并行测试，覆盖-40℃至+125℃宽温范围，测试效率提升明显。面向AI算力芯片的2D MEMS垂直探针卡则以自研自产2D MEMS针实现高密度、高同测与高频测试，针数最高达40000pin。JH59150A逻辑芯片BI测试系统、JHP580双极性脉冲测试系统及PXle系列高精度数字源测量单元亦同台展出。

图片来源：精测电子

从晶圆缺陷检测到FT测试再到探针卡，量检测环节的本土化拼图正一块块补齐，AI算法加持也是本届展台多个厂商的共同方向。

拓荆科技

#拓荆科技 携3D IC设备技术成果亮相，展示国产装备在先进制程与先进封装环节的突破。

图片来源：拓荆科技

VS-300T Astra-s SiN聚焦高性能氮化硅介质薄膜精密沉积，面向先进逻辑金属栅极间隔物侧墙、单扩散区隔离及存储位线侧墙、DRAM位线填充等工艺，片内均匀性、缺陷控制、台阶覆盖率与沉积速率达到国际先进水平，紧凑型架构可搭载4个反应腔。PF-300T Flora是一款流动性化学气相沉积设备，面向高深宽比沟槽等微小间隙，通过UV或蒸汽固化及氧化处理实现深宽比8:1以上结构的无孔洞、无缝隙填充，已进入产业化应用。面向先进封装的Pleione 300 HS芯片对晶圆混合键合设备可在室温下直接键合，无需键合介质或粘合剂，并可选择已知良品芯片参与键合以提升良率，应用于化合物半导体晶圆重构领域。

在传统沉积设备之外看到混合键合设备，说明国产设备商的触角已伸向先进封装最前沿，3D IC是各家绕不开的下一站。

材料展区集中展示电子化学品、靶材、CMP抛光液等关键材料。西陇科学以全系列湿电子化学品亮相，欧莱新材展出靶材与高纯材料，安集科技带来已在主流制程量产的CMP抛光液。从展品构成看，清洗蚀刻、抛光平坦化、溅射靶材等环节的材料配套已形成较为完整的供应体系。

西陇科学

#西陇科学 首次以全阵容亮相湿电子化学品及配套解决方案，展台前聚集了大量半导体、显示面板与集成电路领域的专业观众。通用型湿电子化学品（硫酸、盐酸、硝酸、磷酸、氢氟酸、过氧化氢、氨水、异丙醇等）、功能型湿电子化学品（蚀刻液、显影液、剥离液、稀释剂、清洗剂）与其他类别（正庚烷、正己烷、邻苯二甲酸二丁酯、1,4-二氧六环等）整齐陈列，覆盖清洗、蚀刻、剥离等关键制程的一站式高纯化学品方案吸引众多客户驻足。西陇科学是国内化学试剂与湿电子化学品领域的重要企业。

图片来源：西陇科学

湿电子化学品比拼的是品类齐全度与批量供货能力，从通用型到功能型的完整陈列，反映出国产材料在成熟制程上的替代已相当普遍。

欧莱新材

图片来源：欧莱新材

把靶材、高纯金属与陶瓷零部件放在同一展台，瞄准的是材料配套一体化，单点材料供应正转向多品类协同。

安集科技 

#安集科技 的铜及铜阻挡层化学机械抛光液用于集成电路铜互连的平坦化，已在逻辑芯片、存储芯片等制程上量产使用，面向下一代技术节点的产品也在持续研发与验证中。安集微电子科技（上海）股份有限公司以科技创新和知识产权立身，坚持"立足中国，服务全球"的战略定位，围绕液体与固体衬底表面的微观处理技术、高端化学品配方核心技术搭建"3+1"技术平台，专注芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案。

图片来源：安集科技

量产与下一代节点验证同步推进，国产材料企业已经进入跟随先进节点迭代的节奏，这也是材料环节最值得关注的信号。

本届展会参展企业超1000家，覆盖从芯片设计到核心零部件的全链条，设备、材料与零部件环节的展示规模明显提升；三展联动的形式让半导体、光电与嵌入式电子领域的展商和观众同场交流。

从展会整体来看，几条主线贯穿多个环节。

1、AI算力是本届展会最密集的展品方向，呈现从数据中心向端侧延伸的特征：算力芯片的制程与规格持续升级，测试环节向高密度、高频率、高并行演进，先进封装出现室温直接键合等新工艺选项，晶振等外围器件同步向高频、低抖动升级。

2、车规半导体进入以量产验证为核心的竞争阶段，功率器件单芯片规格与电压等级持续抬升，SiC在电机驱动领域落地，智驾芯片向先进制程推进，车规级认证成为基础门槛。

3、设备、材料与零部件的国产化则呈现从单点替代走向成套供应的特征：工艺装备从单一设备延伸为平台化供应，材料从单品配套转向多品类组合，量检测覆盖从前道到后道的完整环节。

展会为观察国产半导体产业链提供了一个窗口。透过展台可以看到，AI算力与车规应用是贯穿多个环节的主线，设备、材料与零部件的国产化配套已初步成形；行业竞争的焦点，正从产品落地转向量产验证。未来驶向何方，值得拭目以待。