9月9-11日，IICIE国际集成电路创新博览会在深圳国际会展中心盛大举办，今年展会与CIOE、elexcon三展联动，三展3天共吸引325,810名专业观众到场。同时亦有不少行业内知名媒体到场对展会进行报道并撰写相关文章。以下文章来源于集邦化合物半导体：

2026年9月9日至11日，IICIE国际集成电路创新博览会 在深圳国际会展中心（宝安）举办。化合物半导体是核心展示板块之一，产品覆盖功率器件及模块、材料及衬底、制造设备、封测及测试设备、核心零部件等领域。展会现场，一个值得注意的现象是：来自减薄砂轮、水导激光、离子注入、外延装备等细分领域的国产厂商密集发布了针对碳化硅、氮化镓等化合物半导体的专用产品，从加工工具到核心装备的国产化链条正在加速补齐。

图片来源：集邦化合物半导体拍摄

作为第三代半导体产业链关键材料厂商，#萨普新材 在本届展会上展示了自研碳化硅晶圆粗磨与精磨减薄金刚石砂轮。展出的核心产品包括2000粗磨减薄砂轮与30000高精度精磨减薄砂轮，精磨后晶圆表面粗糙度可达2nm以下，损伤层控制在0.4至0.6微米，单面抛光（粗抛+精抛）仅需去除约1微米材料，能够有效降低后续抛光工序成本。产品适配主流减薄设备，面向SiC衬底及功率器件制造环节提供国产磨削耗材方案。展会现场，技术团队针对SiC晶圆减薄TTV控制、砂轮寿命优化、磨削工艺匹配等行业痛点，与来自衬底厂和功率半导体企业的专业观众开展了技术交流。

图片来源：萨普新材

#科诗特 在本届展会上展出了水导激光硬脆材料加工解决方案及自研关键部件。水导激光技术将激光束耦合进水射流中，水柱直径仅30微米，加工过程中同时完成冷却与清屑，能有效消除热影响区和微裂纹，适用于碳化硅、精密陶瓷、金刚石等硬脆材料的精密加工。在第三代半导体晶圆划片、分割等关键工序中，该技术展现出替代传统干式激光切割的潜力。作为国内首家将水导激光技术推向市场的企业，科诗特关键部件100%国产化。目前其水导激光设备已在碳化硅晶体、金刚石、精密陶瓷等领域积累了近200套工艺方案，客户覆盖20余家行业头部企业。

图片来源：科诗特

#德卡特 作为精密超硬磨具企业，在展会现场首发了8000精磨碳化硅衬底减薄砂轮。该产品采用高端陶瓷结合剂体系，搭配精细高纯度金刚石磨料配比工艺，经精密烧结、动平衡校准、高精度整形等多道工序制造，粒度均匀性和磨削颗粒排布规整度较传统砂轮有较大提升。产品主要面向碳化硅衬底的超精减薄与镜面磨削场景，同时可适配蓝宝石、氮化镓等第三代半导体衬底的背面抛光工序。公司产品线还涵盖陶瓷金刚石周边磨、无心磨、双端面研磨盘等系列，面向硬脆新材料加工中的划痕、崩边、表面粗糙度不均等典型问题持续进行技术迭代。

图片来源：德卡特

FerroTec（中国）旗下上海#汉虹精密 机械有限公司在本届展会上集中展示了覆盖单晶硅、碳化硅及化合物晶体三大领域的系列自研装备。在化合物晶体方向，展出了VGF化合物长晶炉（覆盖氟化物、氧化物、硫化物、氮化物等多材料体系）、下降式化合物长晶炉（VB法）以及提升式化合物长晶炉（CZ法），具备镜面抛光腔体、高真空与稳定保压能力、高精度温控与梯度控制等特点。碳化硅方向则展出了6至12英寸LPE碳化硅长晶炉与电阻式PVT碳化硅长晶炉，以及多线切片机和研磨抛光设备。此外还展出了UEFC系列电子束蒸发镀膜机，膜厚均匀性约±3%。

图片来源：汉虹精密

#联得半导体 在本届展会上展出了全自动高精度芯片键合设备、COF倒装共晶设备以及软焊料固晶设备三款核心装备。全自动高精度芯片键合设备面向COC、COS共晶工艺开发，标准片键合精度达±1微米，支持共晶键合与银胶键合双工艺，搭载脉冲加热与氮气保护腔体以抑制焊接氧化。COF倒装共晶设备面向显示驱动芯片键合工艺，采用芯片倒装与共晶的热压焊接工艺，键合精度达±1.5微米，适用于12寸晶圆并兼容8寸晶圆，具备post bond后的精度及缺陷AOI检测功能。软焊料固晶设备则面向功率器件、分立器件等封装场景，在散热性能和电学性能方面具有优势。公司目前已形成以半导体固晶设备为核心、涵盖显示驱动芯片倒装、软焊料固晶、共晶固晶、RFID芯片固晶等多元产品矩阵，可为功率器件、光通信、Mini/Micro LED等泛半导体领域提供封装测试方案。

图片来源：联得半导体

梳理上述参展企业的产品动态，可以看到几个值得关注的产业信号。

其一，国产加工工具正从“能做”走向“好用”，关键性能指标开始具备量产说服力。萨普新材30000精磨砂轮将表面粗糙度控制在2nm以下，德卡特8000砂轮以陶瓷结合剂体系提升粒度均匀性，科诗特水导激光方案累计近200套工艺方案并覆盖20余家头部客户——这些数据表明，国产减薄、切割工具已不再是“实验室验证”阶段的产物，而是在量产良率、加工效率等维度上开始对标进口产品。结合行业背景来看，化合物半导体功率电子领域2025年市场规模约227亿元，其中新能源汽车及交通市场突破148亿元，下游需求的规模化放量正在倒逼上游加工工具提升一致性与可靠性。

其二，装备端的国产替代正从单点设备向工艺链延伸。汉虹展出的长晶、切片、研磨、镀膜设备覆盖了碳化硅衬底制备的多道工序，联得半导体的键合与固晶设备为化合物半导体器件的封装环节提供了国产选项。这些企业的共同特征是：不再满足于某一台设备的替代，而是围绕化合物半导体制造的特定工序形成成套方案能力。这种“工艺链式”的国产化路径，比单台设备的技术突破更具产业渗透力。

其三，化合物半导体的产业重心正在从“衬底制备”向“器件制造与封装”迁移。早期化合物半导体的国产化焦点高度集中在衬底和外延环节，而本届展会上，联得半导体的键合与固晶设备，指向了器件制造及后端环节。这一变化与下游应用场景的成熟度相关：新能源汽车主驱逆变器、车载激光雷达、AI数据中心电源等应用对化合物半导体器件的性能要求日趋明确，带动了封装、测试、可靠性验证等环节的设备与工具需求。当器件端的工艺能力开始被系统性关注，化合物半导体产业的国产化就进入了一个更深的层次——不再只是“做出材料”，而是“做出可用的器件”。